摘要 |
【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第2の絶縁層と、第2の絶縁層上の第2のゲート電極とを有し、第1のゲート電極は、第1の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第2のゲート電極は、第2の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第2の絶縁層上に設けられ、第1の領域は、第2のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第2の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第1の領域における第2の絶縁層は、第2の領域における第2の絶縁層よりも薄い。【選択図】図1 |