| 发明名称 | 直接晶片结合 | ||
| 摘要 | 本公开提供了直接晶片结合方法，其包括在第一和第二晶片上提供结合层，和在热和压力下直接将第一和第二晶片结合在一起。该方法可用于通过在器件之间引入高度掺杂的(A1)(Ga)InP(As)(Sb)层，将GaAs基、InP基、GaP基、GaSb基或Ga(In)N基器件直接结合至GaAs器件。结合层材料形成具有高结合强度、低电阻和高光透射率的结合。 | ||
| 申请公布号 | CN103262212B | 申请公布日期 | 2017.03.15 |
| 申请号 | CN201180058077.9 | 申请日期 | 2011.09.21 |
| 申请人 | 波音公司 | 发明人 | D·M·布沙瑞;D·C·罗 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;张全信 |
| 主权项 | 用于光电器件的组件(200，200a)，包括：第一子组件，其进一步包括：第一GaAs晶片衬底(110，203)；在所述第一GaAs晶片衬底(110，203)上的第一结合层(120，220)；第二子组件，其进一步包括：第二InP晶片衬底(130，260)；和在所述第二InP晶片衬底(130，260)上的第二结合层(140，240)；其中所述第一结合层(120，220)和所述第二结合层(140，240)直接结合，以形成界面，并且形成组件；所述组件具有跨过所述第一结合层和所述第二结合层之间的结合界面的大于4J/m<sup>2</sup>的结合强度；和其中所述第一结合层(120，220)和所述第二结合层(140，240)分别与所述第一GaAs晶片衬底(110，203)和所述第二InP晶片衬底(130，260)晶格匹配；并且其中所述第一结合层和所述第二结合层为(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||