发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置,提高半导体装置的性能。半导体装置具有:凸片(FA),作为半导体基板(1)的一部分并且从半导体基板(1)的主面(1a)突出,在第1方向上具有宽度并且在第2方向上延伸;控制栅极电极(CG),隔着栅极绝缘膜(GIt)地配置于凸片(FA)上,在第1方向上延伸;以及存储器栅极电极(MG),隔着栅极绝缘膜(GIm)地配置于凸片(FA)上,在第1方向上延伸。并且,膜厚比栅极绝缘膜(GIt)厚的栅极绝缘膜(GIm)所介于的配置有存储器栅极电极(MG)的区域的凸片(FA)的宽度(WM1)比栅极绝缘膜(GIt)所介于的配置有控制栅极电极(CG)的区域的凸片(FA)的宽度(WC1)窄。 |
申请公布号 |
CN106486489A |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201610578765.2 |
申请日期 |
2016.07.21 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
山下朋弘 |
分类号 |
H01L27/11563(2017.01)I;H01L27/11568(2017.01)I;H01L27/11578(2017.01)I |
主分类号 |
H01L27/11563(2017.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
金春实 |
主权项 |
一种半导体装置,具有:半导体基板,具有主面;突出部,作为所述半导体基板的一部分并且从所述主面突出,在所述主面的第1方向上具有宽度,在与所述第1方向正交的第2方向上延伸;第1栅极电极,隔着第1绝缘膜地配置于所述突出部上,在所述第1方向上延伸;第2栅极电极,隔着第2绝缘膜地配置于所述突出部上,在所述第1方向上延伸;第3绝缘膜,位于所述第1栅极电极与所述第2栅极电极之间;以及第1半导体区域和第2半导体区域,以夹着所述第1栅极电极和所述第2栅极电极的方式,形成于所述突出部内,所述第2绝缘膜的膜厚比所述第1绝缘膜的膜厚厚,所述第2栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第1宽度比所述第1栅极电极重叠的区域中的所述突出部的第2宽度窄。 |
地址 |
日本东京 |