用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法

摘要

本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。

主权项

一种用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，所述方法包括：向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶，其中，在预定生长温度下在所述第III族氮化物半导体单晶的生长中，在将所述坩埚的温度调节为低于500℃的第一温度范围内的情况下，使Ga与Na反应；以及在Ga与Na的反应之后，将所述坩埚的温度升高至所述第III族氮化物半导体单晶的生长温度。