| 发明名称 | 一种高导热量子点薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高导热量子点薄膜的制备方法，包括：S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂，并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂，获得量子点溶液；S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中，利用电纺丝设备制备电纺丝膜；S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜；S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中，真空脱泡后取出，经加热固化，即得到高导热量子点薄膜。本发明简单有效，环保经济，显著提高提升了量子点薄膜的导热性能，从而可改善量子点LED的散热性能和光色稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN106486571A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610968220.2 | 申请日期 | 2016.10.26 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 郑怀;刘胜;雷翔;刘洁;周尚儒 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/28(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 胡艳 |
| 主权项 | 一种高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是，包括步骤：S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂，并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂，获得量子点溶液；S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中，利用电纺丝设备制备电纺丝膜；S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜；S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中，真空脱泡后取出，经加热固化，即得到高导热量子点薄膜。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||