| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 进一步实现二极管元件的反向恢复耐量的提高。具备：第一导电型的漂移层(1)；第二导电型的阳极区(3)，其设置于漂移层(1)的上部；第二导电型的抽出区(4)，其设置于包围阳极区(3)的位置，且与阳极区(3)接触；以及第二导电型的场限环区(6<sub>j</sub>)，其设置于漂移层(1)的上部的包围抽出区(4)的位置，且与抽出区(4)相离，其中，抽出区(4)构成为比阳极区(3)和场限环区(6<sub>j</sub>)深。 | ||
| 申请公布号 | CN106489210A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201680001961.1 | 申请日期 | 2016.01.14 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 掛布光泰 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移层；第二导电型的阳极区，其设置于所述漂移层的上部；第二导电型的抽出区，其设置于包围所述阳极区的位置，且与所述阳极区接触；以及第二导电型的场限环区，其设置于所述漂移层的上部的包围所述抽出区的位置，且与所述抽出区相离，其中，所述抽出区构成为比所述阳极区和所述场限环区深。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||