| 发明名称 | 磁隧道结 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及磁性器件，公开了一种磁隧道结。在本实用新型的磁隧道结中，在自由层与固定层之间的衬底表面上形成黑磷层，可以加大固定层与自由层之间的距离，从而在可穿戴电子设备领域有较大的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN206003841U | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201621024843.6 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 鸿之微科技（上海）有限公司 | 发明人 | 不公告发明人 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人 | 居瓅;李夫玲 |
| 主权项 | 一种磁隧道结，其特征在于，所述磁隧道结包括绝缘衬底(4)、固定层(1)、自由层(3)和黑磷层(2)，所述固定层(1)和所述自由层(3)位于所述衬底中并相互间隔，所述黑磷层(2)位于所述固定层(1)和所述自由层(3)之间的所述绝缘衬底(4)的表面上并连接所述固定层(1)和所述自由层(3)。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区金海路1000号金领之都31号楼6层 | ||