| 发明名称 | 三维集成电路结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维集成电路结构和及其制造方法。三维集成电路结构包括第一芯片和第二芯片。第一芯片在接合界面处接合至第二芯片。第一芯片的通孔和第二芯片的接合焊盘电连接，并且通孔的扩散阻挡层在接合界面处接触接合焊盘。本发明实施例涉及三维集成电路结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106486466A | 申请公布日期 | 2017.03.08 |
| 申请号 | CN201610649598.6 | 申请日期 | 2016.08.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑光伟;陈怡秀;杨固峰;邱文智 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种三维集成电路结构，包括：第一芯片，在接合界面处接合至第二芯片，其中，所述第一芯片的通孔和所述第二芯片的接合焊盘电连接，并且所述通孔的扩散阻挡层在所述接合界面处接触所述接合焊盘。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||