发明名称 半導体リソグラフィー用共重合体、レジスト組成物、及び、基板の製造方法
摘要 濁度度Th(80)が、1.0以上、4.6NTU以下であり、濁度Tm(80)が、1.0以上、3.8NTU以下である、リソグラフィー用共重合体であって、この濁度度Th(80)は、リソグラフィー用共重合体の含有量がPGMEA溶液の総質量に対して20wt%であるこのPGMEA溶液に、n−ヘプタンを添加した際の濁度が10NTUになるn−ヘプタン添加量を(X)hとし、この(X)hの80%の量のn−ヘプタンをこのPGMEA溶液に添加した際の、このPGMEA溶液の濁度であり;この濁度Tmは、このリソグラフィー用共重合体の含有量がPGMEA溶液の総質量に対して20wt%であるPGMEA溶液に、メタノールを添加した際の濁度が5.0NTUになるメタノール添加量を(X)mとし、この(X)mの80%の量のメタノールを、このPGMEA溶液に添加した際の、このPGMEA溶液の濁度である。
申请公布号 JPWO2015033960(A1) 申请公布日期 2017.03.02
申请号 JP20140546002 申请日期 2014.09.03
申请人 三菱レイヨン株式会社 发明人 安田 敦;中条 美帆
分类号 C08F20/10;C08F6/24;G03F7/004;G03F7/039;H01L21/027 主分类号 C08F20/10
代理机构 代理人
主权项
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