| 摘要 |
【課題】面方位が（１１１）面のｎ型シリコンウェーハの面内抵抗のばらつきを抑制可能、かつ、このようなｎ型シリコンウェーハを高歩留まりで得ることが可能なｎ型シリコン単結晶インゴットの製造方法を提供すること。【解決手段】チョクラルスキー法により、シリコン融液にドーパントを添加したドーパント添加融液４１から結晶方位が＜１１１＞のｎ型シリコン単結晶インゴット６を引き上げる引き上げ工程を備え、引き上げ工程は、引き上げ中のｎ型シリコン単結晶インゴット６とドーパント添加融液４１との固液界面Ｓが下凸形状となるように、ｎ型シリコン単結晶インゴット６を引き上げる。【選択図】図２ |
