| 摘要 |
半導体装置は、第１の柱状シリコン層（１２９、１３１、１３２、１３４）と、前記第１の柱状シリコン層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜（１６２）と、第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された、金属からなるゲート電極（１６８ａ、１７０ａ）と、ゲート電極に接続された、金属からなるゲート配線（１６８ｂ、１７０ｂ）と、第１の柱状シリコン層（１２９、１３１、１３２、１３４）の上部周囲に形成された第２のゲート絶縁膜（１７３）と、第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された、第１の金属材料からなる第１のコンタクト（１７９ａ、１７９ｂ、１８１ａ、１８１ｂ）と、第１のコンタクトの上部と第１の柱状シリコン層の上部とを接続する、第２の金属材料からなる第２のコンタクト（１８３ａ、１８３ｂ、１８５ａ、１８５ｂ）と、第１の柱状シリコン層の下部に形成された第２の拡散層（１４３ａ、１４３ｂ）と、第２のコンタクト上に形成された、抵抗が変化する記憶素子（２０１ａ、２０１ｂ、２０２ａ、２０２ｂ）と、を有する。 |
