| 摘要 |
【課題】酸化物半導体層を活性層として採用し、スイッチング特性及びオフ動作の安定性の向上を図った薄膜トランジスタを得る。【解決手段】ＴＦＴのチャネル領域となる酸化物半導体領域４１は、水素含有量が比較的少ないゲート絶縁膜２１の第１の絶縁領域上に形成され、ソース電極５１及びドレイン電極５２と接触する酸化物半導体領域４３は、水素含有量が比較的多いゲート絶縁膜２３の第２の絶縁領域上に形成される。このため、酸化物半導体領域４１のシート抵抗値Ｒ１が比較的高く、酸化物半導体領域４３のシート抵抗値Ｒ３が比較的低く、Ｒ１＞Ｒ３の関係となる。【選択図】図２ |
