| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种可靠性高的半导体装置的制造方法。半导体装置具有：氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置的栅电极、氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层、氧化物半导体层的下层的第1屏障层、在氧化物半导体层的上层包围氧化物半导体层的上方及侧方且在氧化物半导体层的周围与第1屏障层相接的第2屏障层、配置在氧化物半导体层和第1屏障层之间的第1氧化层、配置在氧化物半导体层和第2屏障层之间的第2氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN106469757A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201610570990.1 | 申请日期 | 2016.07.19 |
| 申请人 | 株式会社日本显示器 | 发明人 | 佐佐木俊成;铃村功 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 高迪 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层对置的栅电极；所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层；所述氧化物半导体层的下层的第1屏障层；以及在所述氧化物半导体层的上层包围所述氧化物半导体层的上方及侧方且在所述氧化物半导体层的周围与所述第1屏障层相接的第2屏障层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||