发明名称 Blankmask for Extreme Ultra-Violet Lithography and Photomask using the same
摘要 투명 기판 상에 적어도 다층 반사막, 흡수막 및 레지스트막이 적층된 극자외선용 블랭크 마스크가 개시된다. 흡수막은 플래티늄(Pt), 니켈(Ni), 탄탈(Ta), 아연(Zn), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 은(Ag), 인듐(In), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 금(Au) 중 선택되는 1종 이상의 금속 물질을 포함하거나, 또는, 상기 금속 물질에 산소(O), 질소(N), 탄소(C), 붕소(B), 수소(H) 중 1종 이상의 경원소 물질을 더 포함하여 구성된다. 흡수막의 차광성을 확보함과 동시에 흡수막을 박막화할 수 있고, 또한 내화학성 및 내노광성을 향상시킬 수 있다.
申请公布号 KR20170021191(A) 申请公布日期 2017.02.27
申请号 KR20160050066 申请日期 2016.04.25
申请人 주식회사 에스앤에스텍 发明人 남기수;신철;이종화;양철규;최민기;김창준
分类号 G03F1/22;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/58;G03F7/16;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F1/22
代理机构 代理人
主权项
地址