| 摘要 |
半導体基板としてのｎ型単結晶シリコン基板１の光入射面とは反対側の面に、第１導電型非晶質半導体膜（ｎ型非晶質シリコン層５）上にキャリア濃度の低い第１の導電性半導体膜（第１の酸化インジウム層９）、その上にキャリア濃度の高い第２の導電性半導体膜（第２の酸化インジウム層１０）を備え、キャリア濃度の低い第１の導電性半導体膜中に絶縁性微粒子８を備える。これにより、光を散乱させ光路長を伸ばしても、導電性半導体膜での吸収が起きずに損失がなく、赤外吸収の抑制及び効果的な散乱による光路長の増大の両立が実現され、電気的特性の劣化を招くことなく、１００μｍ以下の薄型半導体基板においても高い変換効率を得ることができる。 |
