| 摘要 |
チャネル部にＳｉＧｅまたはＧｅ膜を用いた半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置を提供する。少なくとも表面の一部にＳｉＧｅ膜またはＧｅ膜が露出した基板と、前記基板を処理する処理室と、前記処理室内にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、前記処理室内に成膜ガスとして少なくともＳｉ含有ガスを供給する成膜ガス供給部と、前記ＳｉＧｅ膜またはＧｅ膜の表面に形成されたＧｅ酸化膜を前記エッチングガスを供給することで除去し、前記エッチングガスの供給によって前記Ｇｅ酸化膜を除去した後に前記Ｓｉ含有ガスを供給して、少なくとも前記ＳｉＧｅ膜または前記Ｇｅ膜上にＳｉ含有膜をエピタキシャル成長させるように、前記成膜ガス供給部および前記エッチングガス供給部を制御する制御部と、を有する基板処理装置。 |
