| 摘要 |
반도체 소자의 제조 방법은 기판 상에 서로 이격된 게이트 구조체, 상기 게이트 구조체의 측벽을 덮는 게이트 스페이서, 및 상기 게이트 스페이서를 덮는 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 게이트 스페이서의 측벽을 노출하는 콘택 홀을 형성하고, 상기 콘택 홀의 하부를 채우는 희생 갭필 패턴을 형성하고, 상기 희생 갭필 패턴이 형성된 상기 콘택 홀의 측벽 상에 콘택 스페이서를 형성하고, 그리고 상기 희생 갭필 패턴을 제거한 후, 상기 콘택 홀을 채우는 콘택을 형성하는 것을 포함한다. |
