半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具

摘要

半導体ウエハ保持用冶具（４４）は、半導体ウエハ（Ｗ）を収容する貫通孔（４４ａ）を有し、カーボングラファイト等の炭素繊維で形成されている。半導体ウエハ保持用冶具はテンプレートであり、バックパッド（４３）を介して支持プレート（４２）上に積層される。バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む。半導体ウエハ研磨装置（１０）は、テンプレートと、テンプレートに保持された半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段を備える。研磨手段は定盤（２０）と研磨布（３０）とにより構成されている。