| 摘要 |
【課題】本発明の課題は、半導体デバイスの分野に関し、変成層を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体化合物に基づく多接合ソーラーセルなどの製造工程及びデバイスを提供することである。【解決手段】多接合ソーラーセルが、第１のバンドギャップを有する上部の第１のソーラーサブセルと、上部の第１のソーラーサブセルに隣接し、第１のバンドギャップよりも低い第２のバンドギャップを有する第２のソーラーサブセルと、第２のソーラーサブセルに隣接して量子井戸を含み、第２のバンドギャップよりも低い第３のバンドギャップを有する第３のソーラーサブセルと、第３のソーラーサブセルに隣接し、第３のバンドギャップよりも高い第４のバンドギャップを有する傾斜中間層と、傾斜中間層に隣接し、第３のバンドギャップよりも低い第５のバンドギャップを有し、第３のソーラーサブセルに対して格子不整合である下部の第４のソーラーサブセルとを含む。【選択図】なし |
