| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。 | ||
| 申请公布号 | CN106463394A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580022823.7 | 申请日期 | 2015.03.17 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 根岸哲;寺井护;山本圭 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金光华 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：半导体元件，具有半导体基板、形成于所述半导体基板的正面且具有开口部的绝缘膜以及在所述半导体基板的所述正面上在所述开口部内形成的电极；以及第1保护膜，被设置成覆盖所述半导体元件，所述绝缘膜的膜厚是所述半导体基板的厚度的1/500以上且4μm以下，所述绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||