| 发明名称 | 一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法，包括：以聚碳硅烷和氯化镧为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料和浸有催化剂的石墨基片置于石墨反应室中，放入真空气氛炉内；通Ar气，抽真空至50～80Pa，以15℃/min的升温速率升温至600～900℃，保温10min，随后以15℃/min的升温速率升温至1250～1350℃，保温60～150min。本发明方法的原料及工艺简单，可一步实现原位稀土La掺杂SiC一维纳米材料的制备，所得La掺杂SiC一维纳米材料具有更低的开启电场(1.5V/μm)和阈值电场值(5.1V/μm)，有望应用于高性能场发射器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104867799B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201410810735.0 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 青岛科技大学 | 发明人 | 李镇江;宋冠英;段振亚;李伟东;孟阿兰 |
| 分类号 | H01J9/02(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人 | 郝团代 |
| 主权项 | 一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备方法，包括以下步骤：固态聚碳硅烷和固体氯化镧为反应原料，混合研磨30～40min，得到混合反应原料；将石墨基片于超声波清洗机中清洗烘干后，浸入0.01mol/L的Ni(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>乙醇溶液中，超声震荡5分钟，取出自然晾干，得到浸有催化剂的基片；将浸有催化剂的基片及混合反应原料，置于石墨反应室内，一起放入真空可控气氛炉内；将真空可控气氛炉抽真空至50～80Pa，以15℃/min升温速率升温至600～900℃，保温10min，随后以15℃/min的升温速率继续升温至1200～1350℃，保温60～150min；关闭电源，使真空可控气氛炉自然冷却至室温，可一步实现La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备。 | ||
| 地址 | 266000 山东省青岛市崂山区松岭路99号青岛科技大学 | ||