DIFFUSED JUNCTION TERMINATION STRUCTURES FOR SILICON CARBIDE DEVICES AND METHODS OF FABRICATING SILICON CARBIDE DEVICES INCORPORATING SAME

摘要

전자 소자는 제1 도전성 타입 및 탄화 규소층의 표면에 인접한 메인 접합을 갖는 탄화 규소층, 및 메인 접합에 인접한 탄화 규소층의 표면에 있는 접합 단자 영역을 포함한다. 접합 단자 영역의 전하는 메인 접합으로부터의 측면 거리에 따라 감소하며, 접합 단자 영역의 최대 전하는 약 2×10cm미만일 수 있다.