一种发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、电流扩展层、绝缘钝化层，p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在电流扩展层上，发光二极管芯片还包括设置在衬底和n型Ⅲ族氮化物半导体层之间的光提取增强层，光提取增强层包括呈阵列分布的多个曲面结构，曲面结构与衬底一起形成中空结构，衬底、曲面结构、以及中空结构内的物质均是透明的。本发明提高了LED芯片的外量子效率。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的n型Ⅲ族氮化物半导体层、有源层、p型Ⅲ族氮化物半导体层、电流扩展层、绝缘钝化层，所述p型Ⅲ族氮化物半导体层上设有延伸至所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的凹槽，第一电极设置在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上，第二电极设置在所述电流扩展层上，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括设置在所述衬底和所述n型Ⅲ族氮化物半导体层之间的光提取增强层，所述光提取增强层包括呈阵列分布的多个曲面结构，所述曲面结构与所述衬底一起形成中空结构，所述衬底、所述曲面结构、以及所述中空结构内的物质均是透明的。