| 发明名称 | 一种霍尔传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种霍尔传感器及其制备方法，包括：衬底；外延生长形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。本发明的霍尔传感器及其制备方法利用外延生长技术形成感测区，使得感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致，同时将电极向下延伸以降低电极处感测区垂直方向的电阻，进而降低霍尔传感器的失调电压。 | ||
| 申请公布号 | CN106449969A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611088619.8 | 申请日期 | 2016.12.01 |
| 申请人 | 上海南麟电子股份有限公司 | 发明人 | 何云;刘桂芝 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种霍尔传感器，其特征在于，所述霍尔传感器至少包括：衬底；形成于所述衬底上的感测区，所述感测区在垂直方向上的掺杂浓度一致；形成于所述感测区与所述衬底之间的多块埋层；以及，垂直设置于所述感测区中的多个电极，各电极位于各埋层的上方，其深度不小于所述感测区深度的一半。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A室 | ||