发明名称 |
一种稀土掺杂TiO<sub>2</sub>的杂化太阳电池 |
摘要 |
本发明公开了一种稀土掺杂TiO<sub>2</sub>的杂化太阳电池,其特征在于:稀土掺杂TiO2可有效调控其能级结构。n‑型半导体材料是杂化太阳电池体异质结的核心部分,它不仅是p‑型半导体材料的支撑或吸附载体,而且也是电子的传输载体。TiO2纳米晶作为n‑型半导体,具有高介电常数、长激发态寿命、高能态密度、低电子‑空穴复合率等诸多优点,使其成为理想的电子受体材料。目前所使用的p‑型有机聚合物半导体材料与n‑型半导体TiO2之间存在能级匹配不佳的问题,导致p‑型有机材料中的光生子注入n‑型半导体CB的效率降低,因而掺杂TiO2具有广泛的运用价值,适用于商业化生产。 |
申请公布号 |
CN106430090A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610902997.9 |
申请日期 |
2016.10.17 |
申请人 |
南昌航空大学 |
发明人 |
陈文勇;张芹;蔡金甫;刘佳维;龚振东 |
分类号 |
B82Y30/00(2011.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
B82Y30/00(2011.01)I |
代理机构 |
南昌洪达专利事务所 36111 |
代理人 |
刘凌峰 |
主权项 |
一种稀土掺杂TiO<sub>2</sub>的杂化太阳电池,从下至上依次包括:ITO导电玻璃、P型掺杂量子点层、N型掺杂量子点层、电子―空穴传输层,减反射涂层、对电极 ;其特征在于:在P型掺杂量子点层与 N 型掺杂量子点层之间均形成 PN 结。 |
地址 |
330063 江西省南昌市丰和南大道696号 |