一种MIM电容器结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种MIM电容器结构的制造方法，该方法制造的MIM电容器结构通过在衬底的背面形成凹槽，然后在凹槽中形成电容器可以减小整体结构的厚度，并且利用边缘断开的导电导热层进行电连接和散热，保证封装结构的散热效率。

主权项

一种MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，包括：（1）提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的上表面和下表面以及位于上表面的多个焊盘和形成于所述上表面的功能器件；（2）形成覆盖所述上表面的阻焊层，并通过刻蚀漏出所述多个焊盘和所述上表面的边缘位置；（3）形成与所述多个焊盘相对应的多个焊球；（4）在所述边缘位置形成围绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层断开为多个分立的导电部分；（5）形成电连接所述多个焊球中的至少一个与所述多个导电部分中的至少一个的第一导电图案；（6）在所述下表面形成凹槽；（7）在凹槽中形成MIM电容器结构；（8）形成电连接所述金属导热层的并贯穿所述上表面和下表面的多个导电导热通孔；（9）形成电连接所述多个导热导电通孔中的至少一个与所述MIM电容器的第二导电图案。