| 发明名称 | OLED器件的制作方法及OLED器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种OLED器件的制作方法及OLED器件，该方法包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。本发明具有提高生产效率，提高产品良率的有益效果。 | ||
| 申请公布号 | CN106450044A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611069709.2 | 申请日期 | 2016.11.28 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 徐超 |
| 分类号 | H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人 | 黄威 |
| 主权项 | 一种OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一基板上依次形成TFT阵列层、阴极电极层、电子传输层、发光层以及空穴传输层；在空穴传输层上形成第一电子胶层；在第二基板上依次形成阳极电极层以及空穴注入层；在空穴注入层上形成第二电子胶层；将第一电子胶层与第二电子胶层贴合并连接。 | ||
| 地址 | 430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||