发明名称 PATTERN FORMATION METHOD LITHOGRAPHY APPARATUS LITHOGRAPHY SYSTEM AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD
摘要 패턴 형성 방법은, 제1 패턴을 형성하여 제1 샷 배열을 규정하는 제1 단계와, 임프린트 처리를 실시함으로써, 상기 제1 패턴 상의 임프린트재에 제2 패턴을 형성하여 제2 샷 배열을 규정하는 제2 단계를 포함한다. 상기 제2 단계에서는, 상기 몰드를 변형시켜 상기 제1 샷 배열과 상기 제2 샷 배열 사이의 오버레이 오차를 저감하도록 상기 제2 샷 배열을 규정한다. 상기 제1 단계에서는, 상기 몰드를 변형시켜 상기 몰드에 형성된 상기 제2 패턴을 보정한 후 상기 제2 단계를 실시한 경우에 상기 기판 상에 규정될 수 있는 예상 제2 샷 배열의 정보에 기초하여, 상기 제1 샷 배열과 상기 제2 샷 배열 간의 오버레이 오차가 허용 범위 내에 속하도록 상기 제1 패턴을 형성한다.
申请公布号 KR20170018867(A) 申请公布日期 2017.02.20
申请号 KR20170018076 申请日期 2017.02.09
申请人 캐논 가부시끼가이샤 发明人 사토 히로시
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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