发明名称 |
Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Abdichtung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul aufweisend: ein Substrat zur thermisch leitenden Befestigung an einem Kühlkörper; wenigstens ein auf dem Substrat angeordnetes Halbleiterbauelement; wenigstens ein elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbundenes Anschlusselement, das an seinem freien Ende einen Kontaktabschnitt aufweist; ein elektrisch isolierendes Gehäuse, in dem das Substrat und das wenigstens eine Halbleiterbauelement wenigstens teilweise aufgenommen sind, und das Gehäuse wenigstens einen Durchbruch für das Anschlusselement aufweist; wobei das wenigstens eine Anschlusselement den Durchbruch durchgreifend angeordnet ist und wobei auf der Gehäuseaußenseite eine an die Gehäuseaußenseite angrenzende und das Anschlusselement umschließende Schicht aus einem im Vergleich zu dem Gehäusematerial plastisch oder elastisch verformbaren Material vorgesehen ist; wobei der Kontaktabschnitt die Schicht und die Gehäuseaußenseite überragend angeordnet ist. |
申请公布号 |
DE102015113111(A1) |
申请公布日期 |
2017.02.16 |
申请号 |
DE201510113111 |
申请日期 |
2015.08.10 |
申请人 |
Infineon Technologies AG |
发明人 |
Schwarzer, Sven;Buschkühle, Marc;Schwarzer, Ulrich |
分类号 |
H01L23/053;H01L21/50;H01L23/34;H01L23/48;H01L25/07 |
主分类号 |
H01L23/053 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|