发明名称 |
用于缩减多重堆栈的整体封装尺寸的针脚凸块堆栈设计 |
摘要 |
本发明揭示一种用于堆栈晶粒的方法。在一实施例中,形成覆在衬底上的第一晶粒。第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的指状焊片,其中,该第一配线用第一焊点接合至该指状焊片。形成覆在该第一针脚焊点上的第一针脚凸块,其中,该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成。形成覆在该第一晶粒上的第二晶粒。第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块,其中,该第二配线用第二焊点接合至该第一针脚凸块。 |
申请公布号 |
CN103329263B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201180049007.7 |
申请日期 |
2011.08.10 |
申请人 |
赛普拉斯半导体公司 |
发明人 |
赖玉清;F·Y·何;W·K·南;K·E·龙;S·冯;关凯澄 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
张瑞;郑霞 |
主权项 |
一种用于堆栈晶粒的方法,包含下列步骤:使第一晶粒覆在一衬底上;使第一配线接合至该第一晶粒以及至该衬底的一指状焊片,其中,该第一配线用第一焊点直接接合至该指状焊片;形成覆在该第一焊点上的第一针脚凸块,其中,该第一针脚凸块是由导电材料的一熔球形成,并且其中,该第一针脚凸块直接接触该第一焊点;使第二晶粒覆在该第一晶粒上且使该第二晶粒附接至该第一晶粒;以及使第二配线接合至该第二晶粒以及至该第一针脚凸块,其中,该第二配线用第二焊点直接接合至该第一针脚凸块,其中,该第二焊点覆在该第一针脚凸块上,其中,在使该第二晶粒覆在该第一晶粒上之后且在使该第二晶粒附接至该第一晶粒之后,该第二焊点直接形成在该第一针脚凸块上,并且其中,该第一焊点和该第二焊点通过与用于使该第一配线接合至该第一晶粒和使该第二配线接合至该第二晶粒的配线接合工艺相同的配线接合工艺来形成。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |