发明名称 萘四甲酸二酐衍生物在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用
摘要 本发明涉及萘四甲酸二酐衍生物用于倒置钙钛矿太阳能电池中电子传输层/阴极的界面修饰方面的应用。萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构如下所示:<img file="DSA0000135785380000011.GIF" wi="418" he="667" />式中R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>可以相同或者不相同,独立选自C1‑C20的长烷基链,X为Cl、Br或I等,n=0‑16。倒置钙钛矿太阳能电池的器件结构为:ITO/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/阴极。将萘四甲酸二酐衍生物用于钙钛矿太阳能电池中的电子传输层/阴极的界面上,首先,可调节电子传输层的形貌,减少膜中的缺陷密度,提高电子传输层的质量;其次,引入萘四甲酸二酐衍生物界面修饰层,可以有效地加速电子从电子传输层向阴极的传输,从而有利于器件效率的提高。此外,由于萘四甲酸二酐衍生物的溶解性较好,可通过溶液旋涂法将其引入到钙钛矿太阳能电池中,操作非常简单,可重复性好。
申请公布号 CN106410038A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610956970.8 申请日期 2016.10.28
申请人 南京工业大学 发明人 孟鸿;彭森;黄维
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构:<img file="FSA0000135785390000011.GIF" wi="411" he="665" />式中R1、R2可以相同或者不相同,独立选自C1‑C20的长烷基链,X为Cl、Br或I等,n=0‑16。
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