发明名称 |
高稳定度恒温晶体振荡器及提高晶体振荡器稳定度的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高稳定度恒温晶体振荡器,包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路,所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上,测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下;所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接;所温控电路外置于真空封装外壳。本发明还公开了一种提高晶体振荡器稳定度的方法。本发明装置及方法由于使用了半导体致热/冷元件进行一次恒温,并对温控电路以外的元件一起进行了真空封装,不仅可以缩短晶体振荡器的启动时间,更可以提高晶体的温度稳定性,从而达到进一步提高晶体振荡器的稳定度的目的。 |
申请公布号 |
CN106411317A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610885212.1 |
申请日期 |
2016.10.11 |
申请人 |
武汉轻工大学 |
发明人 |
徐建;甘志银;吴玉莹 |
分类号 |
H03L1/02(2006.01)I;H03L1/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03L1/02(2006.01)I |
代理机构 |
武汉开元知识产权代理有限公司 42104 |
代理人 |
杜传青 |
主权项 |
一种高稳定度恒温晶体振荡器,其特征在于:包括普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件及温控电路,所述的半导体致热/冷元件置于普通恒温晶体振荡器之上,测温元件置于半导体致热/冷元件元件之下;所述普通恒温晶体振荡器、半导体致热/冷元件、测温元件封装于真空封装外壳内且均与温控电路电连接;所温控电路外置于真空封装外壳。 |
地址 |
430048 湖北省武汉市东西湖区环湖中路36号 |