一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法

摘要

本发明公开了一种晶硅电池多层钝化膜及其制备方法；晶硅电池多层钝化膜，包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜；氮化硅膜沉积在第一氧化硅膜上；第二氧化硅膜沉积在氮化硅膜上，氮氧化硅膜沉积在第二氧化硅膜上；第一氧化硅膜厚度为5‑9nm，氮化硅膜厚度为60‑90nm，第二氧化硅膜的厚度为10‑20nm，氮氧化硅膜的厚度为15‑30nm。本发明光线发生全反射的概率大幅度地提高，即有更多的光线进入硅片内，可以产生更多的载流子，提高电池效率。

主权项

一种晶硅电池多层钝化膜，其特征在于：包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜；氮化硅膜沉积在第一氧化硅膜上；第二氧化硅膜沉积在氮化硅膜上，氮氧化硅膜沉积在第二氧化硅膜上；第一氧化硅膜厚度为5‑9nm，氮化硅膜厚度为60‑90nm，第二氧化硅膜的厚度为10‑20nm，氮氧化硅膜的厚度为15‑30nm。