| 发明名称 | 用于限束孔隙的腐蚀检测的方法和机制 | ||
| 摘要 | 结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。 | ||
| 申请公布号 | CN106415791A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580005269.1 | 申请日期 | 2015.01.13 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 大卫·汀布莱克;马克·R·亚玛多;纳岚·罗夫 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨文娟;臧建明 |
| 主权项 | 一种离子植入系统，其特征在于，所述离子植入系统包括：离子源，产生离子束；限束孔隙板件，具有两个不同尺寸的孔隙；两个电荷收集器，各自安置在所述两个不同尺寸的孔隙的相应一个后方；致动器，用以驱动所述限束孔隙板件穿过所述离子束的一部分；以及控制系统，与所述两个电荷收集器通信以监视所述离子束的离子束电流。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 | ||