发明名称 双极结型晶体管布局
摘要 一种双极结型晶体管包括:发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件,两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间,以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。
申请公布号 CN106409892A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610555184.7 申请日期 2016.07.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡汉旻;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯;周硕君;傅淑芳
分类号 H01L29/735(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I 主分类号 H01L29/735(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种双极结型晶体管(BJT),包括:发射极;基极接触件,包括两个基极指状件,所述两个基极指状件形成角部以接收所述发射极;集电极,包括两个集电极指状件,所述两个集电极指状件沿着所述基极接触件的基极指状件延伸;浅沟槽隔离件,设置在所述发射极和所述基极接触件之间,以及所述基极接触件和所述集电极之间。
地址 中国台湾新竹