发明名称 |
双极结型晶体管布局 |
摘要 |
一种双极结型晶体管包括:发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件,两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间,以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。 |
申请公布号 |
CN106409892A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610555184.7 |
申请日期 |
2016.07.14 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
蔡汉旻;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯;周硕君;傅淑芳 |
分类号 |
H01L29/735(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/735(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;李伟 |
主权项 |
一种双极结型晶体管(BJT),包括:发射极;基极接触件,包括两个基极指状件,所述两个基极指状件形成角部以接收所述发射极;集电极,包括两个集电极指状件,所述两个集电极指状件沿着所述基极接触件的基极指状件延伸;浅沟槽隔离件,设置在所述发射极和所述基极接触件之间,以及所述基极接触件和所述集电极之间。 |
地址 |
中国台湾新竹 |