发明名称 |
低噪声放大器 |
摘要 |
本发明公开了一种低噪声放大器,包括:级联的第一级放大电路和第二级放大电路,第一级偏置电路,第二级偏置电路,输出阻抗匹配电路。第一级放大电路包括共源极连接的第一NMOS管,第一NMOS管的漏极和电源电压之间串联有第一电阻和第一电感,第二级放大电路包括共源共栅CMOS放大器。本发明通过两级放大电路的级联,能够大大提高电路的增益性能和噪声性能;第一级放大电路的漏端的第一电感负载,能使第一级放大电路的负载端总阻抗在一个较宽的频率范围内保持大致不变,能使整个电路的高频增益提高且稳定;第二级放大电路采用共源共栅放大器能使得整个低噪声放大器同时获得较佳的噪声性能和增益性能。 |
申请公布号 |
CN104158497B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201310177992.0 |
申请日期 |
2013.05.14 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
朱红卫;唐敏;刘国军;赵郁炜 |
分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/26(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种低噪声放大器,其特征在于:低噪声放大器包括:级联的第一级放大电路和第二级放大电路,第一级偏置电路,第二级偏置电路,输出阻抗匹配电路;所述第一级放大电路包括共源极连接的第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极和电源电压之间串联有第一电阻和第一电感,所述第一级偏置电路提供第一偏置电压到所述第一NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的栅极为所述第一级放大电路的输入端,所述第一NMOS管的漏极作为所述第一级放大电路的输出端;输入信号连接到所述第一级放大电路的输入端,所述第一级放大电路的输出端和所述第二级放大电路的输入端连接,所述第二级放大电路的输出端连接所述输出阻抗匹配电路,所述输出阻抗匹配电路输出输出信号;所述第二级放大电路包括共源共栅CMOS放大器,所述第二级偏置电路为所述共源共栅CMOS放大器的共源CMOS放大器提供第二偏置电压,所述共源共栅CMOS放大器的输出端和电源电压之间连接有第二级电感,所述共源共栅CMOS放大器的自偏置电路为所述共源共栅CMOS放大器的共栅CMOS放大器提供第三偏置电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |