MTJ PERPENDICULAR MTJ STACKS INCLUDING MAGNETIC ANISOTROPY ENHANCING LAYER AND CRYSTALLIZATION BARRIER LAYER

摘要

스핀 전달 토크형 메모리(STTM) 장치에 적합한 자기 터널 접합(MTJ)은, 수직 자성층과, 결정화 장벽층에 의해 자유 자성층으로부터 분리된 하나 이상의 이방성 강화층(들)을 포함한다. 실시 형태에서, 이방성 강화층은 자유 자성층의 수직 배향을 향상시키고, 반면에 결정화 장벽은 자유 자성층의 결정 조직과 터널링 층의 결정 조직과의 양호한 배열로 인해 터널 자기 저항(TMR) 비를 향상시킨다.