| 摘要 |
【課題】低電気抵抗率と優れた耐熱性とを有するＡｌ合金をゲート電極やソース・ドレイン電極とした薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、及び前記ソース・ドレイン電極の保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層がＩｎ、Ｇａ、並びにＺｎ及びＳｎの少なくとも一方と、Ｏとを含み、前記ゲート電極及び前記ソース・ドレイン電極の少なくともいずれか一方の電極がＮｉ及びＣｏからなるＡ群より選択される少なくとも１の元素と、Ｃｕ及びＧｅからなるＢ群より選択される少なくとも１の元素と、Ｌａ、Ｇｄ及びＮｄからなるＣ群より選択される少なくとも１の元素とを含むＡｌ合金であり、前記Ａ群の前記Ａｌ合金に対する総含有率が０．０５原子％以上５原子％以下、前記Ｂ群の前記Ａｌ合金に対する総含有率が０．１０原子％以上２原子％以下、かつ前記Ｃ群の前記Ａｌ合金に対する総含有率が０．１０原子％以上１原子％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。【選択図】なし |
