一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成铜金属互连沟槽或通孔；采用湿法冶金工艺在所述铜金属互连沟槽或通孔的侧壁及底部形成CuMn合金种子层；在所述铜金属互连沟槽或通孔内填充铜金属，以形成铜金属互连结构。根据本发明，可以使形成的CuMn合金种子层不发生悬垂突出现象，以利于后续电镀铜金属的实施。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成铜金属互连沟槽或通孔；采用湿法冶金工艺在所述铜金属互连沟槽或通孔的侧壁及底部形成CuMn合金种子层，以使所述CuMn合金种子层不发生悬垂突出现象，所述湿法冶金工艺包括以下工艺步骤：将所述半导体衬底浸入PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂溶液中，以使所述铜金属互连沟槽或通孔的侧壁及底部充分吸附所述PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂，将所述半导体衬底浸入SnCl₂溶液中，以将所述PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂还原为Pd、Ag或Ni，所述Pd、Ag或Ni作为后续进行的化学反应的触媒，将所述半导体衬底浸入一混合溶液中，以形成所述CuMn合金种子层，所述混合溶液由含Cu²⁺的溶液、MnCl₂溶液和还原剂构成；在所述铜金属互连沟槽或通孔内填充铜金属，以形成铜金属互连结构。