Method of manufacturing dual transistor having nonvolatile memory characteristics using glass substrate

摘要

본 발명은 유리 기판을 이용한 비휘발성 메모리 특성을 가지는 듀얼 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 듀얼 트랜지스터 소자 영역 사이에 형성된 금속 씨드에서 강유전체 박막의 측면방향으로 결정화를 진행하여, 하나의 단결정화된 강유전체 박막으로 2개의 메모리 특성을 가지는 트랜지스터 소자를 제조할 수 있는 것을 특징으로 한다.