| 摘要 |
ＥＳＤ保護デバイス（１）は、ＥＳＤ保護回路（１０Ａ）が表面に形成されたＳｉ基板（１０）と、Ｓｉ基板（１０）に形成されたパッド（Ｐ１，Ｐ２）と、Ｓｉ基板（１０）の表面と対向し、パッド（Ｐ１，Ｐ２）と導通している端子電極（２５Ａ，２５Ｂ）を含む再配線層（２０）とを備える。端子電極（２５Ａ，２５Ｂ）は、樹脂層（２２）に形成された開口（コンタクトホール）が接している領域以外のパッド（Ｐ１，Ｐ２）の一部を覆うように、Ｓｉ基板（１０）の表面に形成されたＳｉＮ保護膜（２１）と、ＳｉＮ保護膜（２１）より誘電率が低く、ＳｉＮ保護膜（２１）および端子電極（２５Ａ，２５Ｂ）の間に形成された樹脂層（２２）とを含んでいる。これにより、寄生容量の発生を軽減でき、かつ、発生する寄生容量のばらつきをなくす半導体装置を提供する。 |
