Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Halbleitervorrichtung, die Folgendes aufweist: – ein Siliciumcarbid-Halbleitersubstrat (20) eines ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps; – eine Siliciumcarbid-Driftschicht (21) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf dem Siliciumcarbid-Halbleitersubstrat (20) gebildet ist; – erste Wannenbereiche (41) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die jeweils in voneinander beabstandeter Weise in einer Oberflächenschicht der Siliciumcarbid-Driftschicht (21) gebildet sind, um eine Vielzahl von Zelleneinheiten zu bilden; – eine Gateisolierschicht (30), die sich zumindest auf der Siliciumcarbid-Driftschicht (21) und jedem der ersten Wannenbereiche (41) erstreckend gebildet ist; – eine Gateelektrode (50), die auf der Gateisolierschicht (30) selektiv gebildet ist; – eine Sourcekontaktöffnung (61), die die Gateisolierschicht (30) durchsetzt und bis ins Innere von jedem der ersten Wannenbereiche (41) hineinreicht; – eine zumindest an einer Seitenfläche der Sourcekontaktöffnung (61) gebildete Druckeigenspannungsschicht (90), in der eine Druckspannung verbleibt, und einen Sourcebereich (80) des ersten Leitfähigkeitstyps, der in einer Oberflächenschicht von jedem der ersten Wannenbereiche (41) selektiv gebildet ist, wobei die Gateisolierschicht (30) sich auf dem Sourcebereich (80) erstreckend gebildet ist, und wobei die Sourcekontaktöffnung (61) bis auf eine Tiefe von mehr als 5 nm von der Oberflächenschicht der Siliciumcarbid-Driftschicht (21) in den Sourcebereich (80) hineinreicht, wobei die Tiefe, bis auf welche die ...