发明名称 Substratträger, Verfahren und Verarbeitungsbauelement
摘要 Ein Substratträger (100b) kann aufweisen: eine Trägerplatte (102), die eine Vielzahl von Substrataufnahmeregionen (104, 114) aufweist, wobei jede Substrataufnahmeregion (104, 114) mindestens einen ersten Vertiefungsabschnitt (104a, 114a) aufweisen kann, der eine erste Tiefe (124a) aufweist, und mindestens einen zweiten Vertiefungsabschnitt (104b, 114b), der eine zweite Tiefe (124b) aufweist, wobei die zweite Tiefe (124b) größer als die erste Tiefe (124a) ist; und eine Trägerplatten-Montagestruktur, die zum Abstützen der Trägerplatte (102) konfiguriert ist.
申请公布号 DE102016113874(A1) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 DE201610113874 申请日期 2016.07.27
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Hoechbauer, Tobias Franz Wolfgang
分类号 C30B25/12;C30B29/36;H01L21/205;H01L21/683 主分类号 C30B25/12
代理机构 代理人
主权项
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