| 摘要 |
【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、高分解能で撮像が行えるフォトセンサを提供することを課題とする。【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、および第２のトランジスタを有するフォトセンサを有する半導体装置に係るものである。フォトダイオードは光の強度に応じて電気信号を生成する機能を有する。第１のトランジスタはゲートに電荷を蓄積し、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能を有する。第２のトランジスタはフォトダイオードから生成された電気信号を第１のトランジスタのゲートに転送し、かつ、第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有する。第１のトランジスタはバックゲートを有し、バックゲートの電位を変更することでしきい値電圧を変更することができる。【選択図】図１ |
