发明名称 メモリシステム及びそれの動作方法
摘要 A memory system includes a nonvolatile memory device and a memory controller configured to control the nonvolatile memory device and configured to provide the nonvolatile memory device with error flag information including error location information of an error of data read from the nonvolatile memory device.
申请公布号 JP6072442(B2) 申请公布日期 2017.02.01
申请号 JP20120139532 申请日期 2012.06.21
申请人 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 发明人 朱 相▲ヒュン▼;朴 起台;尹 翔▲ヨン▼;韓 真晩
分类号 G06F11/10;G06F12/16;G11C16/02;G11C16/06 主分类号 G06F11/10
代理机构 代理人
主权项
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