发明名称 | 半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备 | ||
摘要 | 本发明实施例提供一种半导体装置以及包含该半导体装置的电子设备,该半导体装置包括:基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度或厚度或之间的间隔增加。本发明实施例的半导体装置通过增大高耐压高电阻元件的外侧的宽度或厚度或间隔来调整该高耐压高电阻元件的电阻,使施加到绝缘膜的电压与高耐压高电阻元件到高压连接端子的距离成比例,从而确保该半导体装置的耐压性和可靠性。 | ||
申请公布号 | CN106373957A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
申请号 | CN201510431389.X | 申请日期 | 2015.07.21 |
申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 盐津兴一 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 陶海萍;樊一槿 |
主权项 | 一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括:基板;绝缘膜,其形成于所述基板上;高耐压高电阻元件,其形成于所述绝缘膜上和/或所述绝缘膜内,一端连接于高压端子,另一端连接于低压端子,并且,随着远离所述高压端子的连接点,所述高耐压高电阻元件的宽度增加。 | ||
地址 | 日本埼玉县 |