| 发明名称 | 晶圆级封装件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的导电焊盘。该半导体器件结构包括形成在所述导电焊盘的上方的保护层和至少形成在所述保护层内的钝化后互连(PPI)结构。PPI结构电连接至所述导电焊盘。该半导体器件结构还包括形成在所述保护层的上方的第一防潮层，并且所述保护层和所述第一防潮层由不同的材料制成。该半导体器件结构还包括形成在所述第一防潮层上方并且连接至所述PPI结构的凸块下金属(UBM)层。 | ||
| 申请公布号 | CN106373930A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610549737.8 | 申请日期 | 2016.07.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑心圃;刘献文 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：衬底；导电焊盘，形成在所述衬底上；保护层，形成在所述导电焊盘的上方；钝化后互连(PPI)结构，至少形成在所述保护层内，其中，所述钝化后互连结构电连接至所述导电焊盘；第一防潮层，形成在所述保护层的上方，其中，所述保护层和所述第一防潮层由不同的材料制成；以及凸块下金属(UBM)层，形成在所述第一防潮层上方并且连接至所述钝化后互连结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||