| 摘要 |
본 명세서에서는 반도체 장치(300)의 제조 방법이 제공되며, 본 방법으로 제조된 반도체 장치(300)에서 폭 효과(width effect)가 감소된다. 본 제조 방법은 반도체 물질(202)을 포함하는 기판(200)을 제공하는 단계, 반도체 물질(202)에서 격리 트렌치(212)를 형성하는 단계, 고유전율 물질이 형성되는 것을 실질적으로 방지하는 라이너 물질로 격리 트렌치(212)를 라이닝하는 단계를 포함한다. 그 다음으로, 라이닝된 트렌치(216)을 절연 물질(218)로 채운다. 그 후에, 절연 물질(218)의 적어도 일부분의 위와 반도체 물질(202)의 적어도 일부분의 위에 고유전율 게이트 물질층(232)을 형성한다. 라이너 물질(214)이 고유전율 게이트 물질층(232)을 분리하며, 반도체 물질(202)의 활성 영역 위로의 산소 이동을 방지한다. |
