| 摘要 |
【課題】半導体装置の信頼性を向上させるのに有利な技術を提供する。【解決手段】トランジスタが形成された半導体基板と、前記トランジスタのゲート電極に接続された第１コンタクトプラグと、前記半導体基板に接続された第２コンタクトプラグとを備える半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に前記ゲート電極を覆う第１絶縁部材を形成する工程と、前記半導体基板の上面が露出するように前記第１絶縁部材に第１開口を形成する工程と、前記第１開口を導電性の第１部材で埋める工程と、前記第１絶縁部材の上に前記第１部材を覆う第２絶縁部材を形成する工程と、前記第１部材の上面が露出するように前記第２絶縁部材に第２開口を形成し、前記ゲート電極の上面が露出するように前記第１絶縁部材および前記第２絶縁部材に第３開口を形成する工程と、前記第２開口を導電性の第２部材で埋めて前記第２コンタクトプラグを完成させ、前記第３開口を導電性の第３部材で埋めて前記第１コンタクトプラグを形成する工程と、を有する。【選択図】図１ |
