SOI NMOSFET的⁶⁰Coγ射线辐射响应推导及推导试验方法

摘要

本发明提供了一种SOI NMOSFET的⁶⁰Coγ射线辐射响应推导及推导试验方法，在极低电场下，对同样结构和工艺条件下的两件SOI NMOSFET，一件进行X射线，另一件进行⁶⁰Coγ射线辐射；对比X射线与⁶⁰Coγ射线两种辐射下由氧化层陷阱电荷引起的阈值电压漂移之比提取剂量增强因子DEF；将X射线试验数据的辐照剂量水平乘以DEF，将辐照造成的阈值电压漂移量乘以因子0.7，从而得到⁶⁰Coγ射线的辐射响应。该发明方案应用局限性小，ΔV_th推导更准确；能够省去⁶⁰Co源大量的辐射测试，从而大大降低试验成本并发挥X射线能方便快捷地提供反馈的优势，提高研发的效率。

主权项

一种SOI NMOSFET的⁶⁰Coγ射线辐射响应推导方法，具体方法为：在极低电场下，对同样结构和工艺条件下的两件SOI NMOSFET，一件进行X射线，另一件进行⁶⁰Coγ射线辐射；对比X射线与⁶⁰Coγ射线两种辐射下由氧化层陷阱电荷引起的阈值电压漂移之比提取剂量增强因子DEF；将X射线试验数据的辐照剂量水平乘以DEF，将辐照造成的阈值电压漂移量乘以因子0.7，从而得到⁶⁰Coγ射线的辐射响应；所述极低电场为电场小于0.05MV/cm的电场强度。